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MEMS传感器公司矽睿科技获小米长江产业基金投资

发布日期:2021-10-12 18:10

  3月2日,国家开发银行董事长赵欢在国新办新闻发布会上表示,国家集成电路产业投资基金二期2000亿元已全面进入投资阶段,2021年开行准备新增股权投资500亿元以上,加大集成电路等产业的股权投资。

  赵欢表示,2020年,国家开发银行大力支持集成电路产业的投资。开行子公司已经圆满完成了集成电路国家产业基金一期投资,支持了集成电路领域的重点企业快速发展,基金投资的财务效果也很明显。开行按市场化运作,去年科技领域的企业估值显著上升,基金投资财务效果也非常明显,市场化运作非常成功。同时,开行也参与了国家集成电路产业投资基金二期的设立工作,募集了2000亿元资金,现在已经全面进入了投资阶段。

  3月2日晚间,斯达半导体发布2021年度非公开发行A股股票预案(以下简称预案),计划非公开发行股票,募集资金总额不超过35亿元,其中,20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目,7亿元用于功率半导体模块生产线自动化改造项目。

  斯达半导体介绍,高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化的项目,拟通过新建厂房及仓库等配套设施,购置光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设备,实现高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化。项目达产后,预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。

  2020年,我国全年规模以上工业中,高技术制造业增加值比上年增长7.1%,占规模以上工业增加值的比重为15.1%;装备制造业增加值增长6.6%,占规模以上工业增加值的比重为33.7%。全年高技术产业投资比上年增长10.6%。全年新能源汽车产量145.6万辆,比上年增长17.3%;集成电路产量2614.7亿块,增长29.6%。

  企查查信息显示,上海矽睿科技有限公司(以下简称:矽睿科技)近日发生工商变更,新增湖北小米长江产业基金合伙企业(有限合伙)等多家投资方。注册资本由74380万元增至168761万元,增幅达126.89%。

  据了解,矽睿科技成立于2012年9月,专注于MEMS智能传感器业务,设计和生产优质传感器产品,并为客户提供相应的智能应用方案和服务。公司产品包括加速度传感器、磁传感器、气压高度计、陀螺仪、霍尔传感器、角度传感器、光感传感器、组合惯性传感器和相关智能传感系统。

  该公司拥有完全自主知识产权,申请并成功授权70余项国际国内发明专利,专利组合覆盖MEMS工艺制程、传感器设计和ASIC设计、算法和系统应用软件等。公司自2012年成立以来,以应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费领域市场获得了高速增长。

  SEMI(国际半导体产业协会)近日表示,看好5G、高效能运算、车用等应用将带动半导体业成长,促使半导体设备步入超级循环周期,并将今年半导体设备销售金额增长率预估由原先的年增10%上修至15%。

  SEMI产业研究总监曾瑞榆则指出,今年晶圆代工营收可望成长超过10%,包含5G、高效能运算、车用与物联网为主要成长动能。他也预期晶圆代工产能吃紧情况可能延续至下半年,晶圆厂产能利用率均逼近满载,尤其8吋产能更是不足,预期8吋产能吃紧情况在今、明年可能都不会缓解。

  美国一家联邦法院于当地时间周二裁定英特尔侵犯VLSI科技公司两项芯片制造相关专利,需赔偿21.75亿美元。这是美国历史上罚款最重的专利侵权诉讼之一,英特尔称将上诉。

  据悉,英特尔否认侵权和另一项专利无效的主张均被法院否决。不过英特尔依旧在声明中表示,“公司强烈反对陪审团的裁决。我们打算上诉,并且相信我们会获胜。”

  彭博社称,该案的一项专利最初于2012年授予飞思卡尔半导体公司,另一项于2012年授予SigmaTel,而后飞思卡尔半导体收购了SigmaTel,并于2015年被恩智浦收购。两项专利已于2019年转让给VLSI。

  近日,中国(上海)自由贸易试验区临港新片区发布了集成电路产业专项规划(2021-2025)。《规划》显示,到2025年,推进重大项目落地建设,基本形成新片区集成电路综合性产业创新基地的基础框架;到2035年,构建起高水平产业生态,成为具有全球影响力的“东方芯港”。

  产业规模:到2025年,集成电路产业规模突破1000亿元,芯片制造、装备材料主导地位进一步加强,芯片设计、封装测试形成规模化集聚。

  技术创新:到2025年,先进工艺、成熟工艺、特色工艺进入国际前列,EDA工具、光刻胶、大硅片等关键“卡脖子”技术产业化取得突破,2种以上关键装备进入全球领先制造企业采购体系。

  企业培育:到2025年,引进培育5家以上国内外领先的芯片制造企业;形成5家年收入超过20亿元的设备材料企业;培育10家以上的上市企业,围绕5G、CPU、人工智能、物联网、无人驾驶等细分领域发展壮大一批独角兽设计企业。

  随着5G商用落地,工业4.0的持续推进,功率半导体作为碳中和的重要技术受到广泛关注。对比目前的Si功率器件,SiC和GaN等功率半导体具备处理高电压、大电流的能力,且体积更小,耗电量也大幅降低。

  根据日本运营知识产权库的Astamuse发布的数据,在2000年至2017年期间,全球37个国家共申请了4.7428万件功率半导体相关技术专利。按国家划分,美国的相关专利达1.3973万件位于第一位,其次是日本的1.2872万件,中国的8403件。

  从企业专利数量来看,日本的三菱电机排名第一,为1304件,其次是德国英飞凌(983件),瑞萨电子(802件),东芝(456件)。富士电机(409件)排在第六,日立制作所(398件)为第七名。

  原文标题:国开行:2021年将新增500亿元以上,加大对集成电路等股权投资;SEMI:半导体设备进入超级循环 一周芯闻

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  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  电气特征 线路电源电压要求 (VDC): 9 – 30 信号调节 - LVDT/RVDT 输出类型 (mA): 4 – 20 信号调节 - LVDT/RVDT 输出类型 (VDC): 0 – 10 励磁电压 (Vrms): 3 信号特征 励磁频率 (kHz): 7.5 主体特性 信号调节 - LVDT/RVDT 重量 (g): 117 机械附件 信号调节 - LVDT/RVDT 安装 : DIN 3 使用环境 工作温度范围 : -20 – 75 °C [ 0 – 165 °F ] 操作/应用 ...

  05282945-006 05282945-006 线性位移传感器 - LVDT

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  目前没有详细产品特性的在线-012 05282945-012 线性位移传感器 - LVDT

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  目前没有详细产品特性的在线-006 05282946-006 线性位移传感器 - LVDT

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  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  电气特征 线性位移传感器 - LVDT/LVIT 电源电压 (V): ±15 模拟输出 : ±10 V 电气连接 : PT02A-10-6P 主体特性 线性位移传感器 - LVDT/LVIT 外形尺寸 : 圆柱形 弹簧回弹式 : 分离式铁芯, 分离式铁芯 壳体特性 线性位移传感器 - LVDT/LVIT 外壳材料 : 不锈钢 外壳直径 : 4.78 mm [ .188 in ] 使用环境 工作温度范围 : 0 – 70 °C [ 32 – 158 °F ] 环境规范 : 1,000 PSI 压力 ...

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  请注意:所有产品设计活动都应参照产品图纸。  产品类型特性 角度位移传感器 - RVDT/RVIT 类型 : RVDT 结构特性 电气连接 : M12.5 针 电气特征 Input Current (Max) (mA): 25 角度位移传感器 - RVDT/RVIT 输出类型 : 0 – 10 VDC 主体特性 角度感应范围 (°): 0 – 120 角度位移传感器 - RVDT/RVIT 重量 (g): 99 外壳材料 : 铝 机械附件 角度位移传感器 - RVDT/RVIT 安装 : Servo Groove ...

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 加速度计类型 : MEMS DC 即插即用加速度计传感器类型 : 直流响应即插即用加速度计 结构特性 电气连接 : 5 针连接器 电气特征 满量程输出电压 (VDC): ±2 励磁电压 (VDC): 4 – 30 零加速输出 (mV): ±50 信号特征 频率响应 (Hz): 0-1500 主体特性 轴数 : 1 重量 : 16 g [ .56 oz ] 材料 : 不锈钢 ...

  2350437-1 2350437-1 角度位置传感器 - 空心轴旋转变压器

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  请注意:所有产品设计活动都应参照产品图纸。  结构特性 Resolver Size : 21 Pole Pairs : 1 其他 Angular Error (): 20

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 即插即用加速度计传感器类型 : 电缆组件

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  4000A-005-060 4000A-005-060 即插即用加速度传感器

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 加速度计类型 : MEMS DC 即插即用加速度计传感器类型 : 直流响应即插即用加速度计 结构特性 电气连接 : 一体式电缆 电气特征 满量程输出电压 (VDC): ±2 励磁电压 (VDC): 8 – 36 零加速输出 (mV): ±100 励磁电流 (mA): 5 信号特征 频率响应 (Hz): 0-300 主体特性 轴数 : 1 重量 : 7 g [ .245 oz ] ...

  4000A-050-030 4000A-050-030 即插即用加速度传感器

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 加速度计类型 : MEMS DC 即插即用加速度计传感器类型 : 直流响应即插即用加速度计 结构特性 电气连接 : 一体式电缆 电气特征 满量程输出电压 (VDC): ±2 励磁电压 (VDC): 8 – 36 零加速输出 (mV): ±100 励磁电流 (mA): 5 信号特征 频率响应 (Hz): 0-800 主体特性 轴数 : 1 重量 : 7 g [ .245 oz ] ...

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 速率和惯性传感器类型 : Rate Sensors/Gyros 电气特征 励磁电压 (VDC): 5 – 16 尺寸 尺寸 MM : 20.8 x 20.8 x 14.5 使用环境 工作温度范围 : -40 – 105 °C [ -40 – 221 °F ] 包装特性 速率和惯性传感器包装 : Anodized Aluminium 其他 精确度 : ±0.5% Non-Linearity FS 范围 (±) DEG/SEC : 100...

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 速率和惯性传感器类型 : Rate Sensors/Gyros 电气特征 励磁电压 (VDC): 5 – 16 尺寸 尺寸 MM : 14.6 x 10.2 x 7.6 使用环境 工作温度范围 : -40 – 105 °C [ -40 – 221 °F ] 包装特性 速率和惯性传感器包装 : Anodized Aluminium 其他 精确度 : ±0.5% Non-Linearity FS 范围 (±) DEG/SEC : 12000...

  62105012-000 62105012-000 位置传感器配套仪表

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  电气特征 线路电源电压要求 (VDC): ±12, ±15 信号调节 - LVDT/RVDT 输出类型 (VDC): ±10 励磁电压 (Vrms): 3 信号特征 励磁频率 (kHz): 2.5 – 10 机械附件 信号调节 - LVDT/RVDT 安装 : Printed Circuit Board Edge or Terminal Block 使用环境 工作温度范围 : -1 – 55 °C [ 30 – 130 °F ] 其他 传感器类型 : 带 5 或 6 根导线的 LVDT 或 RVDT 传感器通道 : 1 ...

  67010001-000 67010001-000 线性位移传感器 - LVDT

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  使用环境 工作温度范围 : 5 – 60 °C [ 41 – 140 °F ]

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 加速度计类型 : IEPE 即插即用加速度计传感器类型 : 交流响应即插即用加速度计 结构特性 电气连接 : 10-32 同轴连接器 电气特征 满量程输出电压 (VDC): ±5 励磁电压 (VDC): 18 – 30 励磁电流 (mA): 2 – 10 信号特征 频率响应 (Hz): 0.3-10000 主体特性 轴数 : 1 重量 : 8.6 g [ .303 oz ] 材料 : 不锈钢 ...

  72162000-020 72162000-020 倾角传感器和倾角仪

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  结构特性 接口 : 模拟 电气特征 电源电压 (VDC): 12 – 24 模拟接口 (mA): 4 – 20 端接特性 倾角传感器和测斜仪安装 : 垂直 尺寸 尺寸 (mm): 最多 70 倾角传感器和测斜仪精确度 (°): 最多 +/- .5 分辨率 (°): 最多 +/- .01 使用环境 测量原理 : 液体 工作温度范围 : -25 – 60 °C [ -13 – 140 °F ] 包装特性 倾...

  11106140-00 AST4300A05000P4P1000 压力传感器

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 压力传感器类型 : 非易燃压力变送器 压力类型 : 测量仪 结构特性 压力端口/接头 : 1/4 MNPT 电气连接 : 10 英尺导管 电气特征 压力传感器电源电压 (V): 10 – 28 主体特性 端口材料 : 316L 使用环境 压力 : 344.73 bar [ 5000 psi ] 工作温度范围 : -40 – 80 °C [ -40 – 176 °F ] 操作/应用 耐压范围 : 2X,最小值 ...

  11108715-00 AST4600A02000P4W1000 压力传感器

  看产品文档,或 联系我们 以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 压力传感器类型 : 防爆型压力变送器 压力类型 : 测量仪 结构特性 压力端口/接头 : 1/4 MNPT 电气连接 : 导管 2 m 引线 电气特征 压力传感器电源电压 (V): 10 – 28 主体特性 端口材料 : 316L 使用环境 工作温度范围 (°C): -40 – 85 工作温度范围 (°F): -40 – 185, -40 – 185 操作/应用 耐压范围 : 2X,最小值 ...